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    • SST25VF080B-50-4I-S2AF

      SST 08/ 09+ 8000 2010-11-01 报价:19.00
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      SST 08/ 09+ 8000 2010-11-01 报价:15.00
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      SST SOP 09+ 471 2010-11-01 报价:9.20
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      SST SOP8 09+ 1170 2010-10-30 报价:8.00
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      SST SOP 09+ 1000 2010-10-30 报价:14.00
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      SST SOIC-8 10+ 8000 2010-10-29 报价:4.00
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      SST -- 2010+ 4500 2010-10-29 报价:9.00
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      SST -- 2010+ 4500 2010-10-29 报价:9.50
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      SST SOP8 09+ 500 2010-10-29 报价:7.50
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      SST SOP8 10+ 471 2010-10-29 报价:11.00
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      SST SOIC8 09+ 5000 2010-10-29 报价:7.50
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      SST SOP 09+ 471 2010-10-29 报价:7.00
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      SST sop 08+ 2400 2010-10-29 报价:6.00
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      -- -- 09+ 471 2010-10-29 报价:9.70
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      SST -- 10+ 500 2010-10-29 报价:8.80
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      SST 原厂标准 10+ 55000 2010-10-29 报价:8.80
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      SST SOIC8 0805119+ 4000 2010-11-16 报价:3.70
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      SST SOIC8 0726283+ -- 2008-06-18 报价:4.80
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      厂家:Silicon Storage Tech
      内容: 8M FLASH MEMORY, SPI EEPROM, SOIC8; Memory Type:Flash; Memory Size:8Mbit; Memory Configuration:1M x 8; Interface Type:Serial, SPI; Clock Frequency:50MHz; Supply Voltage Range:2.7V to 3.6V; Memory Case Style:SOIC; No. of Pins:8; Operating Temperature Range:-40°C to +85°C; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Package / Case:SOIC; Device Marking:SST25VF080B-50-4I-S2AF; Interface:SPI; Memory Configuration:1M x 8bit; Memory Type:Flash, NOR; Termination Type:SMD

    SST25VF080B-50-4I-S2AF 相关资料

    • 其它信息:
      读、写操作电压2.7~3.6V;串行接口结构:SPI兼容模式0和模式3;高时钟频率:50MHz;高可靠性,保证100000次读/写(典型值),数据保持超过100年; 超低功耗,动态读出电流:10mA(典型值),待机电流:5μA(典型值);灵活的擦除功能,均匀的4KB扇区,均匀的32KB叠加块,均匀的64KB叠加块; 快速擦除操作和字节编程时间,芯片擦除时间:35ms(典型值),扇区/块擦除时间:18ms(典型值),字节编程时间:7μs(典型值); 自动地址增加(AAI)程序:字节编程操作减少整个芯片的编程时间; 写操作完成监测:软件方法在状态寄存pk10计划中查询BUSY位,在SO引脚读出忙碌状态;保持引脚(HOLD#):在没有取消选择1个装置时挂起一个串行的序列;写保护(WP#):在状态寄存pk10计划中允许/失效锁操作方法;软件写保护:在状态寄存pk10计划中通过块保护位写保护;温度范围:0~+70℃(商用级C),-40~+85℃(工业级I);所有无铅装置遵从RoHS标准; 温度范围:- 40~+85℃(工业级I)
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